（1）开通过程
开通延迟时间td(on) —— Up前沿时刻到UGS=UGS(th)并开始出现iD
                                                的时刻间的时间段
上升时间tr—— UGS从UGS(th)上升到MOSFET进入非饱和区的栅
                                   压UGSP的时间段
iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻RL决定
UGSP的大小和iD的稳态值有关
UGS达到UGSP后，在Up作用下继续升高直至达到稳态，但iD
      已不变 
开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和
（2）关断过程
关断延迟时间td(off)
       Up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，UGS按指数曲线下降到
       UGSP、iD开始减小时的时间段
下降时间tf
       UGS从UGSP继续下降起，iD减小，到UGS<UGS(th)时沟道消失，
       iD下降到零为止的时间段
关断时间toff
          关断延迟时间和下降时间之和
（3）MOSFET的开关速度
MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系：
       使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs （即增大驱动功
       率）减小时间常数，加快开关速度。场控器件，静态时几乎不
       需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的
       驱动功率（保证快速开关）。开关频率越高，所需要的驱动功率
       越大。
MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非
       常迅速。
开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电
       力电子器件中最高的。
4. P-MOSFET的主要参数
     除跨导gm、开启电压UGS(th)、td(on)、tr、td(off)和tf之外，还有：
（1）漏源击穿电压U(BR)DSS：规定了MOS管的电压定额
（2）漏极连续直流电流ID和可重复漏极电流幅值IDM：
            漏极连续直流电流ID是指在最大导通压降UDS(on)和占空比  
            为100％（即直流）时，产生的功率损耗使MOS管节点温
            度上升到最大值150℃（外壳温度为100℃）时的漏极电流。
            可重复漏极电流幅值IDM是脉冲运行状态下MOS管漏极最
            大允许峰值电流。
（3）栅源电压UGS：栅源之间的绝缘层很薄，UGS>20V   将
                 导致绝缘层击穿
（4）极间电容 ：
             P-MOSFET的三个极之间分别存在极间电容CGS、CGD和CDS，一般厂家提供的是漏源极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反向转移电容Crss，它们之间的关系是：
                              Ciss= CGS+ CGD
                              Crss= CGD
                              Coss= CDS+ CGD
        输入电容可近似用Ciss代替，但这些电容都是非线性的。